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<title>【6月8、9日】第三代半導體Si、SiC、GaN功率元件技術</title>
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<table width="640" border="0" align="center" cellpadding="15" cellspacing="0" class="action">
<tr>
<td align="center"><table width="100%" border="0" cellspacing="0" cellpadding="0">
<tr>
<td><table width="100%" border="0" cellspacing="0" cellpadding="0">
<tr>
<td valign="bottom" align="" bgcolor="#F0F0F0" style="border-bottom:4px solid #000;">
<!--電子報 logo-->
<div style="margin-top: 10px; margin-left: 10px; display: inline-block; float: left;">
<a href="http://www.sumken.com/ch" target="_blank">
<img src="http://www.sumken.com/ch/images/logo.png" style=" border:0; width:120px;">
</a>
</div>
<!--電子報 發報日期-->
<div style="display: inline-block;text-align: right;float: right;">
<div style=" font-size:12px; line-height:1.0; color: #000; margin-top:25px; margin-right: 5px; font-weight:bold;">
2021-06-01
</div>
</td>
</tr>
</table></td>
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<!--置頂-->
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<td>
<table width="100%" border="0" cellspacing="0" cellpadding="0">
<tr>
<td align="left" style="background-color:#F0F0F0;">
<!--精選活動-->
<div style="margin: 15px 0; padding: 3.5%; border:3px solid #d40007;">
<!--活動連結-->
<a href="http://www.sumken.com.tw/course/7c5c93a0-ce89-4790-b841-1ba7559b8e16" target="_blank" style="text-decoration:none;font-size: 1.8rem; line-height:1.3; color:#0000E3; margin: 5px 0;font-weight: bold;">
<!--大標-->
【日本專家】邁向EV趨勢的Si・SiC・GaN功率元件技術產品路線圖及業界展望（6/8-9）
</a>
<!--內文-->
<p style="font-size:1.1rem; line-height:1.5; margin: 5px auto;">
最近在加州發表2035年為止州內將全面禁售燃油車，可見EV轉換需求極大。決定EV性能優劣的主要部品為功率元件，其新材料SiC/GaN元件之普及備受期待。然而，分析現況可知:其性能、信頼性、甚或價格面皆尚未充分滿足市場需求。
本課程將同時觀察SiC/GaN功率元件的強勁對手矽基元件的最新動向，並針對SiC/GaN功率元件普及關鍵進行深入淺出之解說。<br/>
1. 功率電子與次世代功率元件<br/>
1.5. 矽基MOSFET・IGBT碩果僅存之原因探討<br/>
1.6. 次世代功率元件開發之定位<br/>
2. 最新矽基IGBT之進展<br/>
2.1. 功率半導體10年後市場預測<br/>
2.2. 矽基IGBT現況<br/>
2.3. 最新的IGBT技術:仍須持續改善特性之IGBT<br/>
2.4. 新構造IGBT:逆導通IGBT (RC-IGBT) 開發<br/>
2.5. 支撐IGBT進程之實裝技術的發展<br/>
3. SiC功率元件的現況及課題<br/>
3.2. 寬能帶隙(Wide-Bandgap Power)半導體<br/>
3.3. 相較矽基之 SiC優點<br/>
3.4. 各社開發SiC-MOSFET。為何不是開發SiC-IGBT?<br/>
3.5. SiC晶圓之開發完成<br/>
3.6. SiC-SBD邁向SiC-MOSFET開發之路<br/>
3.7. SiC-MOSFET擴大販售之四大課題<br/>
3.8. SiC-MOSFET適合EV的原因?<br/>
3.9. SiC-MOSFET製作流程<br/>
3.10. SiC元件信頼性之重點<br/>
3.11. 最新SiC-MOSFET開發動向<br/>
4. GaN功率元件之現況與課題<br/>
4.1. GaN功率元件現況<br/>
4.2. GaN元件構造以”橫向式GaN on Si”為主流。為何不是垂直式GaN on GaN?<br/>
4.3. GaN-HEMT元件之特色與課題<br/>
4.4. GaN-HEMT邁向常關型(Normally-off)<br/>
4.5. Current Collapse現象之結構<br/>
4.6. 最新GaN-HEMT開發動向<br/>
4.7. 垂直式GaN元件最新動向<br/>
5. 因應高溫之實裝技術<br/>
5.1. 可高溫動作之優點為何?<br/>
5.2. SiC-MOSFET模組用封裝。重點為何?<br/>
5.3. 重要性日益升高之SiC-MOSFET模組開發<br/>
</p>
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<table class="full-width" style="background-color:#3c8f1e;width:100%;max-width:640px;">
<tr>
<td width="3%" style="text-align:right;padding:3%;">
</td>
<td width="97%" style="text-align:left;padding:1% 0 3% 0;">
<span style="font-size:2.4rem;color:#FFF;text-decoration:none;line-height:1.2;">遠距視訊の日本專家
<br><span style="font-size:1.2rem;line-height:1.5;color:#fff;">彈性支援企業包班（另申請2021年新計劃補助）</span></span>
</td>
</tr>
</table>
</td>
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</table></td>
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</table></td>
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<td align="center" bgcolor="#F0F0F0">
<div style="margin:20px auto;font-size:1.0rem; line-height:20px; color: #000;">
三建技術課程 張小姐<br/>
(Tel)：02-2536-4647#10<br/>
(EML)：sumken@sum-ken.com<br/>
新網站：<a href="http://www.sumken.com.tw/course" target="_blank">http://www.sumken.com.tw/course</a>※需註冊會員，可查詢講師<br/>
舊網站：<a href="http://www.sumken.com/ch/index.html" target="_blank">http://www.sumken.com/ch/index.html</a>※免註冊、直接報名<br/>
110年度「智慧電子人才應用發展推動計畫」（經濟部工業局廣告）
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<center>如欲(取消訂閱)，請E-mail至上述信箱。</center>
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